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專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊,BASiC 混合IGBT單管,BASiC 混合IGBT模塊,BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于雙向AC-DC電源,能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器,變換效率高,儲(chǔ)能變流器碳化硅SiC功率MOSFET,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011, 基本半導(dǎo)體混合IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域,醫(yī)療電源,X射線高壓電源,大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器,實(shí)現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換,儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,高壓側(cè)接入PV直流側(cè),三相維也納PFC... [詳細(xì)介紹]
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